Расположение выводов полевых транзисторов (Gate — Drain — Source) может быть различным. Чаще все-го выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными.
Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.
При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. Следует заме-тить, что имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого со-противление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор признается неисправным.
В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод по-этому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежать досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора. Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.
Александр Столовых

Сообщение Как проверить полевой транзистор с помощью омметра? появились сначала на Радиодетали и радиокомпоненты.

ALGG/BP — AEG- Telefunken, D-7100 Heilbronn,Postfach 1109, West Ger-
many.

AMC/US — Ampower Semiconductor Corp.,375 Kings Highway, Smithtown,
Long Isiand, NY 11787

AMR/US — American Microsemiconductor Inc.,145 Mfin St.,Madison,
NJ 07940.

AMX/US — Amex Electronics, Inc.,2730 So.Harbor Bivd. Unit B., Santa
Ana, CA 92704.

APX/US — Amperex Electronic Corp.,Slatersville Div.,Slatersville,
RI 02876 (also under PHIN, sec.16).

CAR/US — Carier Transistor Corp.,29 North Mall,Plainview, NY 11803.

CEN/US — Central Semiconductor Div.,Central state Ind.,Inc., 148-B
Lamar St., W. Babylon, NY 11704.

CSI/US — Calvert Semiconductors, Inc., 220 E.23rd St., New York.
NY 10010.

CSR/US — CSR Industries, Inc., Semiconductor Div.,35 Central Ave.
E.Farmingdale, NY 11735.

CTR/US — Communications Transistor Corp., 301 Industrial Way, San
Carlos CA 94070.

CRI/US — Crimson Semiconductors, Inc., 440 Park Ave., South, New
York, NY 10016.

DEL/US — Delco Electronics Div., General Motors Corp., MS S105,700
E.Firmin St., Kokomo IN 46901.

ETC/US — Electronic Transistor Corp., 112-15 Northern Bivd.,
Fiushing, NY 11368.

FCAJ/JP — Fujitsu Ltd., 1015 Kamikodanaka Nakahara-ku, Kawasaki
City, Japan.

FERB/GB — Ferranti, Ltd., Gem Mill, Chadderton Oldham, Lancashire,
England.

FSC/US — Fairchild Camera & Instrument Corp., Semicon.Products Gro-
up, 464 Ellis St., MS14-1055, Mountain View, CA 94042.

GDC/US — General Diode Corp., 90 Eames St.,Framingham, MA 01701.

GESY/US — General Electrics Co.,Semicon.Prod. Dept., Electronic Comp.
Div.,Electronics Pk.,Bldg.7. Rm.237, Syracuse, NY 13201.

GIC/US — General Instrument Corp.,600 W.John St.,Hicksville,NY 11802.

GPD/US — Germanium Power Devices Corp., Shetland Ind.Ctr., Bldg. 4,
York St., ROB 65, Shawsheen Village Sta.,Andover, MA01810.

GSE/US — General Semiconductor Industries, Inc., 200! W.10th PI.,
POB 3078, Tempe, AZ 85281.

GTC/US — General Transistor Corp., 12591 Grenshaw Blvd.,
Hawthorne, CA 90250.

HITJ/JP — Hitachi, Ltd., Semicon.&IC Div., 1450 Josuihonmachi,
Kodaira City, Tokyo, Japan.

HPA/US — Hewlett Packard-MSD, 3172 Porter Dr., Palo Alto.CA 94304.

HSE/US — Hybrid Semiconductors & Electronics, Inc.,56-32 210th St.,
Oakland Gardens, NY 11364.

HTN/US — HI-TRON Semiconductor Corp., 841 Merrick Rd., Baldwin, NY
11510.

HVS/US — High Voltage Semi-Conductor Specialists, Inc.,869 Yonkers
Ave., Yonkers, NY 10704.

IDC/US — International Diode Corp.,229 Cleveland Ave., Harrison,
NJ 07029.

IDI/US — International Devices, Inc., 8549 Higuera St., Culver Citi
CA 90230.

IMTM — Industria Mexicana Toshiba,S.A.Calzada de Guadalupe 303,
Cuautitlan, Edo.de Mexico.

INL/US — Intersil,Inc., 10710 No.Tantau Ave., Cupertino,CA 95014.

INR/US — International Rectifier, Semicon.Div.,233 Kansas St.,El
Segundo, CA 90245.

IPE/US — In-Phase Electronics,3198 «H» Airport Loop Dr., Costa Mesa,
CA 92626.

ITT/BP — ITT Semiconductors (INTERMETALL),P.O.Box 840, D7800 Frei-
burg, West Germany.

KER/US — Keriron,Inc.,7516 Central Ind.Dr.,Riviera Beach,FL 33404.

LIX/US — Litronix, Inc.,1900 Homestead Rd., Cupertino,CA 95014.

MATJ/JP — Matsushita Electronics Corp., Kotari Yakemachi 1, Nagaokakyo
City, Japan.

MEHK/HK — Micro Electronics Ltd.,38 Hung To Rd., Kwun Tong, Kowloon,
Hong Kong.

MIC/US — Microwave Associates, Inc., Semiconductor Products, Bur-
lington, MA 01803.

MITJ/JP — Mitsubishi Electric Corp., Kita-Itami Works, 4-1 Mizuhara
Itamishi, Hyogo-Ken, Post Code 664, Japan.

MOTA/US — Motorola Semiconductor Products, 5005 E.McDowell Rd., M370,
Phoenix, AZ 85008.

MULB/GB — Mullard Ltd.,Mullard House, Torrington Pl., London WC1E 7HD
England (also under PHIN, Sec.16).

МWS/US — Мicrowave Semiconductor Corp.,100 Shoolhouse Rd., Somerset,
NJ 08873.

NACE/US — NEC Electronics U.S.A., Electron Div.

NASB/US — North American Semiconductor Co., Inc., P.O.Box 1129, Cu-
pertino, CA 95014.

NASG/BP — North American Semiconductor Co., Ltd., Briennerstrasse, 8
Munchen 2, West Germany D 8000.

NECJ/JP — Nippon Electric Co., Ltd.,1753 Shimonumabe, Nakahara Ku,
Kawasaki City, Japan.

NJS/US — New Jersey Semiconductor Products Co., Inc.,20 Commerce
St., Springfield, NJ 07081.

NPC/US — Nucleonic Products Co., Ins.,6660 Variel Ave., Canoga Park,
CA 91303.

NSC/US — National Semiconductor Corp.,2900 Semiconductor Dr., Santa
Clara, Ca 95051.

NTLB/GB — Newmarket Transistor, Ltd., Exning Rd., Newmarket, Cambrid-
ge, England.

NTR/US — National Transistor Corp., 1033 No.Fairoaks Ave., Sunnyva-
le, CA 94086.

PHIB — Philco Radio Television Ltda.,Rua Sta.Virginia,299,Tatuape.,
Sao Paulo, Cx.Postal 4753, Brasil.

PHIC/CA — Philips Electronics Ltd. Electron Devices Div., 601 Milner
Ave., Scarborough, Ontario, Canada.

PHIN/NL — N.V.Philips Gloeilampenfabrieken, Elcoma Tech. Dept.,Bldg.
BA, Eindhoven, Netherlands.

PIHS/ES — Piher International Corp.,AVDA San Julia S/N, Apart. 177,
Granollers, Barselona, Spain.

PPC/US — Products Corp., 542 Industrial Way West, Eaton-town,
NJ 07724.

RCA/US — RCA Corporation, RCA Solid State Div., Route 202, Somer-
ville, NJ 08876.

RCAB/BE — RCA Solid State-Europe, Parc Industriel des Hauts Sarts,
B-4400 Herstal, Belgium.

RHM/US — R-Ohm Corp., P.O.Box 4455, 16931 Milliken Ave., Irvine,
CA 92716.

RTCF/FR — R.T.C. LaRadiotechnigue-Complec, 130, Ave. Ledru-Rollin,
75540 Paris Cedex 11, France.

RTN/US — Raytheon Semiconductor, 350 Ellis St., Mountain View,
CA 94042.

SAKJ/JP — Sanken Electric Co. Ltd., 1-22-8 Nishi- Ikebukuro, Toshima-
ku, Tokyo, Japan.

SCA/US Semicoa, 333 McCormick Ave., Costa Mesa, CA 92626.

SDE/US — Semiconductor Devices, 970 No.Mai

SEN/US — Sensitron Semiconductors, 221 W. Industry Ct.,Deer Park,
NY 11520.

SES/US — Semitronics Corporation, 64 Commercial St.,Freeport, NY
11520.

SGAI/IT — SGS-ATES Componenti Elettronici S.p.A.,Via C.Olivetti,
2,20041 Agrate Briaza, Milan, Italy.

SHEJ/JP — Shindengen Electric Mfd.Co.,Ltd., New Ohtemachi Bedg., 2-1,
2-chome, Ohemach, Chiyoda-ku, Tokyo 100, Japan.

SIEG/BP — Siemens AG, Balanstrasse 73,8 Munich 80, West Germany.

SIX/US — Siliconix, Inc., 2201 Laurelwood., Santa Clara, CA 95054.

SLCB/GB — Semitron Ltd., Cricklade, Wiltshire, England.

SLD/US — Solid State Industries, Inc., 1060 Thomas Jefferson St.,
NW, Washington, DC 20007.

SML/GB — Semelab, 35 High St., Lutterworth, Leicestershire,England.

SOD/US — Solitron Devices, Inc., 8808 Balboa Ave.,San Deigo,CA92123.

SODI/US — Solitron Devices, Inc., 1177 Blue Heron Blvd., Riviera
Beach, FL 33304.

SONY/JP — Sony Corp.,Atsugi HAN-JI, Gyomu-ka, P.O.Box 10, Tokyo A.P.,
Tokyo 169, Japan.

SPC/US — Solid Power Corp., 440 Eastern Pkwy, Farmingdale, NY 11735.

SPE/US — Space Power Electronics, Inc.,Jeffrey Lane, R.D.1, Glen
Gardner, NJ 08826.

SPR/US — Sprague Electric Co., Pembroke Rd., Concord, NH 03301.

SSCF/FR — Le Silicium Semiconductor,30, Ave.de la Republigue, BP1,
94800 Villejuif, France.

SST/US — Solid State,Inc.,46 Farrand St., Bloomfield, NJ 07003.

STC/US — Silicon Transistor Corp.,Katrina Rd., Chelmsford, MA 01824.

STI/US — Semiconductor Technology, Inc.,3131 Southeast Jay St.,
Stuart, FI 33494.

TADI — Tadiran, Israel Electronics Industries, Ltd.,3 Derech Ha-
shalom (P.O.Box 648), Tel-Aviv 61000, Israel.

THCF/FR — Thomson-CSF, Div.Semiconducteurs, SESCOSEM, 50, rue Jean
Pierre Timbaud, BP5, 92403 Courbevoie, France.

THCI/IT — Thomson-CSF Componenti,Div.,Semiconduttori, Sescosem, Via
Melchiorre Gioia, 72,20125 Milano, Italy.

TIC/US — Transistor International Corp.,1406 Watertower Rd., P.O.B.
12685, Lake Park, FL 33403.

TII/US — Texas Instruments,Inc., Semicon.Group, MS84, P.O.Box 225012
Dallas, TX 75265.

TIIB/GB — Texas Instruments Ltd., Manton Lane, Bedford, England.

TIIC/CA — Texas Instruments, Inc., 280 Center St., E.Richmond Hill,
Ontario, Canada.

TIID/BP — Texas Instruments Deutschland GmbH, 8050 Freising, Hagger-
tystrasse 1, Germany.

TIIF/CA — Texas Instruments, France, S.A.,06 Villeneuve-Loubet, A.M.,
France.

TOSJ/JP — Toshiba Corporation, 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-
-shi, Kanagawa-ken, Japan.

TRW/US — TRW Semiconductors, Inc., 14520 Aviation Blvd., Lawndale,
CA 90260.

TSAJ/JP — Tokyo Sanyo Electric Co., Ltd., Semicon.Div.,Oizumimachi,
Oragun, Gumma, Japan.

TSC/US — Teledyne Semiconductor, 1300 Terra Bella Ave., Mountain
View, CA 94043.

TSI/US — Transistor Specialtys Inc., 3 Electronics Ave., Danvers,
MA 01923.

UNI/US — Unitrode Corp., 580 Pleasant St., Watertown, MA 02172.

UPI/US — UPI Semiconductor, Div.of United-Page,Inc,481 Getty Ave.,
Paterson, NJ 07503.

UTS/US — Uni-Tran Semiconductor Corp.,R.D2.Lake Ariel,PA 18436.

VALG/BP — Valvo GmdH,P.O.Box 993, D2000, Hamburg 1, Germany.

WAB/US — Walbern Devices, Inc., 1818 E. Elizabeth Ave., Linden,
NJ 07036.

WESY/US — Westinghouse Electric Corp., Semiconductor Dept., Young-
wood, PA 15697.

Сообщение Расшифровка наименований и адресов зарубежных фирм-изготовителей транзисторов появились сначала на Радиодетали и радиокомпоненты.

При замене диодов в большинстве случаев бывает достаточно оценить воздействующее на диод обратное напряжение (постоянное и/или импульсное), протекающий через него прямой ток (постоянный и/или импульсный), допустимый обратный ток («обратное сопротивление диода») и, наконец, максимальные частоты воздействующих на диод сигналов.
Такой параметр диода, как обратный ток, существенен лишь в тех случаях, когда диод должен надежно развязывать элементы устройства в «закрытом» состоянии. Примером может служить пиковый вольтметр (в последнее время все чаще используется в индикаторах уровня записи магнитофонов) — «обратное сопротивление диода может существенно влиять на постоянную времени цепи разрядки.
Прямое падение напряжения на диоде важно в основном, когда он используется как элемент стабилизации низкого напряжения (0,5…2В). Как известно, для кремниевых диодов оно лежит обычно в пределах 0,5…1,0В, а у германиевых составляет всего лишь доли вольта. В данном случае заменять кремниевые диоды на германиевые (удовлетворяющие по всем остальным параметрам), разумеется, нельзя.
В выпрямителях на диоде уменьшается выходное напряжение на величину прямого падения напряжения, поэтому замена кремниевых диодов на германиевые вполне допустима. Более того, в определенных ситуациях она может оказаться даже предпочтительной. Стабилизаторы напряжения для надежной работы регулирующего транзистора требуют определенной разности выходных и входных напряжений. Если используемый радиолюбителем трансформатор при максимальном токе нагрузки обеспечивает ее на пределе, то несколько повысить надежность работы устройства (не перематывая трансформатор) можно именно заменой в выпрямителе кремниевых диодов на германиевые.
Подбор заменяющих транзисторов более сложен из-за большего числа параметров, по которым он производится. Но схема анализа возможных вариантов остается прежней. Начинают с оценки действующих в узлах устройства токов и напряжений. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть больше, чем максимальное (с учетом переменной составляющей) напряжение, действующее на этом участке. Правда, если необходимо избегать коротких замыканий (обычно это имеет место только в процессе налаживания устройства), то подобная замена вполне оправдана.
В узлах, где имеется значительная переменная составляющая, ее необходимо учитывать при выборе транзистора. Примером могут служить предоконечные и двухтактные каскады усилителей звуковой частоты. Постоянное напряжение, приложенное между коллекторами и эмиттерами транзисторов в этих каскадах, составляет половину напряжения источника питания (при однополярном питании). Одна¬ко здесь действует переменное напряжение с амплитудой, близкой к половине напряжения источника. Таким образом, реально напряжение коллектор-эмиттер в данном случае изменяется практически от нуля до полного напряжения источника питания. Естественно, что транзисторы в оконечном и предоконечном каскаде должны иметь соответствующее максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер.
Оценив возможность замены на имеющийся у радиолюбителя транзистор по данному параметру, следует аналогичным образом проверить, проходит ли он по максимально допустимому току кол¬лектора и по мощности, рассеиваемой на коллекторе.
Во многих случаях критичным может оказаться выбор транзистора по статическому коэффициенту передачи тока. Например, в простейшем стабилизаторе напряжения на транзисторе потребляемый ток достигает 200 мА. Ток в базовой цепи будет меньше (пропорционально статическому коэффициенту передачи тока регулирующего транзистора). В данном случае проблем с заменой не возникает, поскольку практически у всех современных транзисторов этот коэффициент не менее 30.
Это означает, что ток, потребляемый базовой цепью регулирующего транзистора, изменяется в пределах 0…7 мА. Такое изменение легко обеспечивается простейшим параметрическим стабилизатором на стабилитроне. Однако при больших потребляемых токах или низкоомных нагрузках (и частности, в усилителях звуковой частоты) значение статического коэффициента передачи тока транзистора может быть уже критичным. В любом случае при замене следует оценить, обеспечивают ли предшествующие каскады необходимый ток в нагрузке (по постоянной и/или переменной составляющим) при минимально допустимом значении этого коэффициента.
И наконец, необходимо проверить, проходит ли заменяющий транзистор по частотным характеристикам. Здесь следует заметить, что в настоящее время даже в низкочастотных узлах широко применяют высокочастотные транзисторы (особенно в маломощных каскадах) из-за их доступности. Поэтому порой вполне возможна замена и на транзисторы с более низкой граничной частотой, чем те, которые использовались в данной схеме.

Сообщение Основные правила замены диодов и транзисторов. появились сначала на Радиодетали и радиокомпоненты.

Сообщение Цветовая и кодовая маркировка транзисторов появились сначала на Радиодетали и радиокомпоненты.

Сообщение Типы корпусов радиокомпонентов появились сначала на Радиодетали и радиокомпоненты.